檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "何清華".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="薄膜"
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本論文以實驗室自行壓製硫氧化物電解質靶材，採用RF反應式濺鍍法進行製備氧硫化物電解質的Li2SnOS薄膜，欲將硫化物電解質之高離子傳導性與氧化物電解質之穩定性相結合，得到兼顧化學安定與高鋰離子傳導的…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
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近年來，許多研究者紛紛投入CIGSe薄膜太陽能電池真空製程之研究，而真空製程方式極多，主要分為濺鍍與蒸鍍，本實驗使用真空濺鍍當作主要製程。 本實驗是利用不同靶材濺鍍出CIGSe薄膜，再將陶瓷CIGS…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本論文以實驗室自行壓製陶金靶材，採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜，並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
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本論文主要是來探討原子層級的二硫化鉬薄膜的製備與其應用. 本論文主 要是利用化學氣相沉積法合成原子層級的二硫化鉬薄膜於基板上, 而基板則是 選用藍寶石與石英基板, 待合成完二硫化鉬薄膜後, 利用光…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜，改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度，探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…